Hydrophobic characteristic of SiOxCyHz film by controlling the plasma process for HMDS precursor with hydrogen gas

HMDS와 수소를 이용한 플라즈마 공정 제어를 통한 소수성을 가지는 SiOxCyHz 박막합성

  • 이준석 (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 진수봉 (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 최윤석 (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 최인식 (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ;
  • 한전건 (성균관대학교 신소재공학과, 플라즈마 나노 신소재 연구소)
  • Published : 2012.05.31

Abstract

일반적으로 낮은 표면에너지는 표면조도 및 표면 화학구조에 의하여 제어된다. 이 실험에서는 $SiO_x$ 박막의 표면에너지를 낮추기 위하여 인가전력을 제어하였으며, 동시에 표면 조도를 변화하였다. 인가전력의 의한 표면 조도 및 화학구조를 AFM과 FT-IR로 분석을 하였다. 더하여, 표면에너지의 변화를 접촉각 측정기로 측정하였다.

Keywords