ZnO 나노로드 위에 성장 된 Mg0.2Zn0.8O 덮개층의 열처리 온도에 따른 발광 효과

Effects of Annealing Temperature on Light Emission of ZnO Nanorods with Mg0.2Zn0.8O Capping Layers

  • 윤현식 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 남기웅 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 박형길 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 김소아람 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링연구소) ;
  • 김민수 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링연구소) ;
  • 임재영 (인제대학교 나노공학부)
  • 발행 : 2012.05.31

초록

MgZnO는 전기적, 광학적 특성으로 인해 여러 연구 분야에서 주목을 받고 있으며, 발광특성을 알아보기 위해 Si 기판에 ZnO나노막대를 성장시킨 후 MgZnO 덮개층을 성장시켰다.열처리 효과에 따른 구조적 및 광학적 특성을 조사하기 위해 scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), 그리고 photoluminescence (PL)를 이용하였다. PL 측정 결과 3.3 eV에서 ZnO 나노막대 피크가 관측되었고, 3.48 eV에서 MgZnO 덮개층과 관련 된 피크가 관측되었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 균일한 밀도를 가지는 청색 (432nm), 녹색 (512nm), 적색 (652nm)의 피크가 관측되었다.

키워드