한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

기상 이동법으로 성장한 ZnO disk의 photoluminescence 특성

Pholuminescence properties of ZnO disks grown using vapor phase transport

  • 남기웅 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 김민수 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링 나노시스템공학과) ;
  • 김소아람 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링 나노시스템공학과) ;
  • 박형길 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 윤현식 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 임재영 (인제대학교 나노공학부)
  • 발행 : 2012.05.31
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초록

ZnO disk는 Ar 가스의 ON/OFF 사이클을 사용한 기상 이동법으로 성장하였다. 온도 의존성 photoluminescence (PL)은 PL 스펙트럼의 quenching 동작을 관장하는 메커니즘을 연구하기 위해 조사하였다. ZnO disk의 12 K PL 스펙트럼에서 3.364, 3.315, 3.244, 3.212, 3.170, 3.139, 3.100 eV의 피크를 관측되었고, 그것은 각각 excitons bound to neutral donors ($D^{\circ}X$), A-line, first-order longitudinal optical (1LO) phonon replica of A-line (A-1LO), donor-to acceptor pair (DAP), A-2LO, DAP-1LO, A-3LO 이다. $D^{\circ}X$와 A-line 피크는 Varshni 공식에 의해서 피팅을 하였고, 도너 이온화 에너지는 40 meV 이었다. Free excitons, $D^{\circ}X$, A-line의 lifetime은 이론적으로 계산하였고, 온도가 증가함에 따라 lifetime이 증가하였다.

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