The Study of the Photo Diode Output Signal for Pusle Radiation Detection

펄스방사선 탐지를 위한 Photo Diode 출력특성 연구

In this paper, we make silicon photodiodes for the detection of pulsed radiation that affects electronics devices and study the output characteristics of photodiodes using circuit design. We conducted the simulation for pulse sensing circuit and experimented the photodiode output characteristics using a high luminance light emitting diode. The results can be used for the design of the input sensor that is trigger of additional module for protecting a electoronics circuit from high energy pulse radiation.

고도의 과학기술발전으로 인해 일상생활에서 전자기기의 사용이 급속도로 늘어가고 있다. 또한 태양의 흑점 폭발이나 북한의 핵폭탄, 원전 사고 등으로 인해 방사선에 대한 관심도가 증가하고 있다. 태양으로부터 방출되는 펄스형태의 방사선은 전자장비에 장애를 초래하며 특히 핵폭발 시 전달되는 고준위 펄스 방사선의 경우 전자부품에 오동작 및 불용상태로 까지 영향을 미칠 수 있다. 이러한 방사선 영향에 대한 연구는 국내외에서 다양하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 이러한 전자 부품에 영향을 줄 수 있는 펄스방사선 탐지를 위해 Si 기반의 포토다이오드를 제작하고 이를 통해 펄스 입출력 신호에 대한 회로 시뮬레이션과 일반 광원을 이용한 출력 특성을 연구하였다. 본 연구의 결과는 고 에너지의 펄스 방사선 영향으로부터 전자회로를 보호하기 위한 추가적인 모듈의 입력 센서로 활용 될 수 있다.