Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Characteristic analysis of GaN-based Light Emitting Diode(LED)

GaN 기반 발광 다이오드(LED)의 특성 분석

  • Lee, Jae-Hyun (Graduate School of Information & Communications, Hanbat National University) ;
  • Yeom, Kee-Soo (Department of Information & Communication Engineering, Hanbat National University)
  • 이재현 (한밭대학교 정보통신전문대학원) ;
  • 염기수 (한밭대학교 정보통신공학과)
  • Published : 2012.05.26
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Abstract

In this paper, the GaN-based LED characteristics are analyzed using ISE-TCAD. The LED consists of GaN barriers, active region of InGaN quantum well, AlGaN EBL(Electron Blocking Layer) and AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) on GaN buffer layer. The output power characteristics of LED considering Auger recombination rate, thickness of quantum well and number of quantum wells are analyzed and some criteria for the design of LED are proposed.

본 논문에서는 ISE-TCAD를 이용하여 GaN 기반의 LED특성을 분석하였다. LED는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자우물로 구성된 활성 영역, AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer)로 이루어져 있다. Auger 재결합률, 양자 우물의 폭과 수, EBL의 Al 몰분율의 변화에 따른 LED의 출력 전력 특성을 분석하고 효율 개선을 위한 몇 가지 기준을 제시하였다.

Keywords