Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.08a
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- Pages.353-353
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- 2012
Growth and Characterization of Catalyst-Free InAs Nanowires on Si (111) by MBE
- Hwang, Jeong-U ;
- Park, Dong-U ;
- Ha, Jae-Du ;
- An, Heung-Bae ;
- Kim, Jin-Su ;
- Kim, Jong-Su ;
- No, Sam-Gyu ;
- Kim, Yeong-Heon ;
- Lee, Sang-Jun
- 황정우 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 박동우 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 하재두 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 안흥배 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 김진수 (전북대학교 신소재공학부) ;
- 김종수 (영남대학교 물리학과) ;
- 노삼규 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 김영헌 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 이상준 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터)
- Published : 2012.08.20
Abstract
InAs nanowires (NWs)는 나노소자스케일의 전자소자나 광전자소자를 위한 기본 단위(building block)로 사용될 수 있고, 1차원적 나노구조를 가지면서 나타나는 특별한 전기적, 광학적 특성으로 인해 전계효과 트랜지스터, 레이저, 광발광 다이오드, 가스 검출 센서 등의 많은 응용소자로 활용을 위한 연구가 진행되 있으며 주로 실리콘, 갈륨비소 기판 위에 금속유기기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 증착 (MBE)을 이용하여 선택적 수직배열 성장 조절을 위한 연구와 특성 평가 연구가 주로 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 InAs NWs를 MBE 장치를 이용하여 Si(111) 기판 위에 Au와 같은 촉매를 사용하지 않고 Si과 InAs의 큰 격자 불일치로 인하여 성장되는 Volmer-weber 성장 모드를 이용 하였다. InAs NW 성장모드는 Si (