한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)

한국진공학회 (The Korean Vacuum Society)
권호 표지

Optical Phonons in AlGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures

  • 김진흥 (전북대학교 물리학과) ;
  • 노희석 (전북대학교 물리학과) ;
  • 최원준 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
  • 송진동 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
  • 임준영 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단) ;
  • 박성준 (한국과학기술연구원 광전융합시스템연구단)
  • 발행 : 2012.08.20
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

Molecular beam epitaxy 방법으로 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조에 대한 라만 산란 연구를 보고한다. InAs 양자점이 성장된 Si 기판 위에 각기 다른 온도에서 두께 약 1 ${\mu}m$의 GaAs 층을 두 단계로 성장시킨 후 그 위에 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조를 성장시켰다. AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조의 광학적 특성에 영향을 주는 GaAs 층의 변형력(stress)의 변화를 알기 위해서 시료의 측면으로부터 공간 분해된 라만 산란 실험을 수행하였다. 라만 산란 실험으로부터 AlGaAs/GaAs 다중 양자 우물 구조가 지니는 모든 종류의 광학 포논을 관측하였으며, 두 단계로 성장시킨 GaAs 층에서의 변형력이 Si 기판으로부터 멀어질수록 성장조건의 변화에 따라서 다르게 전개된다는 것을 파악하였다.

키워드