Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

AgxO/Ag를 이용한 ZnO 쇼트키 접촉 특성 연구

  • 이초은 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 이영민 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 이진용 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 정의완 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 심은희 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 강명기 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 허성은 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 노가현 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 홍승수 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 김두수 (동국대학교 반도체과학과) ;
  • 김득영 (동국대학교 반도체과학과)
  • Published : 2012.02.08
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 연구에서는 고결정성을 갖는 ZnO 박막을 제작 후, 큰 일함수를 갖는 AgxO/Ag접촉을 통하여 ZnO 쇼트키 접촉 특성을 분석하였다. ZnO 박막은 사파이어 기판 위에 r.f. 마그네트론 스퍼터링법으로 $400{\sim}600^{\circ}C$의 온도구간에서 Ar과 $O_2$가스의 분압비를 달리하여 성장하였다. 이 때 성장온도 $600^{\circ}C$, 가스 분압비는 Ar : $O_2$ = 15 sccm : 30 sccm 에서 성장된 박막에서 양질의 고결정성 ZnO 박막을 확인하였다. 이 후 성장된 박막에 접촉 면적을 달리하여 dc 마그네트론 스퍼터링법과 lift-off photolithography법으로 AgxO/Ag접촉을 제작하고 쇼트키 접촉특성을 확인하였다. 전류-전압 특성을 확인한 결과 모든 시료에서 정류 특성을 확인하였으며, 접촉면적의 변화에도 쇼트키 장벽의 높이는 일정한 반면 이상지수는 향상되는 경향을 나타내었다. 따라서 본 연구에서는 AgxO/Ag를 이용한 ZnO 쇼트키 접촉면적에 따른 정류특성 및 장벽높이와 이상지수의 상관관계에 대하여 보고한다.

Keywords