Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
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- Pages.172-172
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- 2011
Stress - Strain Curve를 이용한 W-C-N 확산방지막의 물성 특성 연구
- Lee, Gyu-Yeong ;
- Kim, Su-In ;
- Park, Sang-Jae ;
- Lee, Dong-Gwan ;
- Jeong, Yong-Rok ;
- Jeong, Jun ;
- Lee, Jong-Rim ;
- Lee, Chang-U
- 이규영 (국민대학교 물리학과) ;
- 김수인 (국민대학교 물리학과) ;
- 박상재 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
- 이동관 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
- 정용록 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
- 정준 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
- 이종림 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
- 이창우 (국민대학교 물리학과)
- Published : 2011.02.09
Abstract
현대 반도체 금속배선 연구에서는 기존에 쓰이던 Al (Aluminium) 금속배선 대신에 Cu(Copper) 금속배선 연구가 진행 되고 있다. Cu는 Al 보다 비저항이 낮고, 녹는점도 Al보다 높다는 장점이 있지만 저온에서 기판인 Si (Silicon) 과 반응하고 접착력이 우수하지 못 하다는 단점이 있다. 이런 문제를 해결하기 위하여 확산방지막을 기판과 금속배선 사이에 삽입하는 방법이 제시 되었다. 확산방지막으로는 기존에 쓰이던 Ti (Titanium) 계열의 확산방지막과 W (Tungsten) 계열의 확산방지막이 있다. 이번 연구에서는 W 계열의 확산방지막에 불순물 C (Carbon), N(Nitrogen)을 첨가한 W-C-N 확산방지막 시편을 제조하였고, N2의 비율을 변화시키며