Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.02a
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- Pages.154-154
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- 2011
운반자 구속 현상이 개선된 InAs/GaAs 양자점 성장 및 특성평가
- Jo, Byeong-Gu ;
- Lee, Gwang-Jae ;
- Park, Dong-U ;
- Kim, Hyeon-Jun ;
- Hwang, Jeong-U ;
- O, Hye-Min ;
- Lee, Gwan-Jae ;
- Kim, Jin-Su ;
- Kim, Jong-Su ;
- No, Sam-Gyu ;
- Im, Jae-Yeong
- 조병구 (전북대학교) ;
- 이광재 (전북대학교) ;
- 박동우 (전북대학교) ;
- 김현준 (전북대학교) ;
- 황정우 (전북대학교) ;
- 오혜민 (전북대학교) ;
- 이관재 (전북대학교) ;
- 김진수 (전북대학교) ;
- 김종수 (영남대학교) ;
- 노삼규 (표준과학연구원) ;
- 임재영 (인제대학교)
- Published : 2011.02.09
Abstract
자발형성법(Self-assembled)을 이용한 InAs 양자점(Quantum dots)은 성장법의 고유한 물리적 한계로 길이방향에 대한 수직방향 비율(Aspect ratio, AR)이 상대적으로 작은 값을 갖는다. 기존에 보고된 바에 따르면 GaAs 기판에 형성한 InAs 양자점은 일반적으로 AR이 0.3 정도를 보인다. 이러한 높이가 상대적으로 낮은 InAs 양자점은 수직방향으로 운반자(Carrier)의 파동함수 (Wave-function) 구속이 작게 되어 나노 양자점 구조의 0차원적 특성이 저하되게 된다. 본 논문에서는 Arsenic 차단법(Interruption technique)을 이용한 수정자발형성법(Modified self-assembled method, MSAM)으로 InAs 양자점(MSAM-InAs 양자점)을 형성하고 성장 변수에 따라 광 및 구조적 특성을 평가하여 0차원 순도를 분석하였다. MSAM InAs 양자점을 성장하고 12 nm 두께의 GaAs spacer 층을 증착한 후