한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
- /
- Pages.78-78
- /
- 2011
수열합성법으로 성장된 ZnO 박막의 열처리에 따른 특성 변화
- 김민수 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 임광국 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 김소아람 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 남기웅 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 이재용 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 노근태 (인제대학교 나노시스템공학과) ;
- 이동율 ((주)삼성LED Epi-manufacturing Technology) ;
- 김진수 (전북대학교 신소재공학부) ;
- 김종수 (영남대학교 물리학과) ;
- 이주인 (한국표준과학연구원 첨단산업측정그룹) ;
- 임재영 (인제대학교 나노시스템공학과)
- Kim, Min-Su ;
- Im, Gwang-Guk ;
- Kim, So-ARam ;
- Nam, Gi-Ung ;
- Lee, Jae-Yong ;
- No, Geun-Tae ;
- Lee, Dong-Yul ;
- Kim, Jin-Su ;
- Kim, Jong-Su ;
- Lee, Ju-In ;
- Im, Jae-Yeong
- 발행 : 2011.02.09
초록
수열합성법을 이용하여 Si(111) 기판에 ZnO 박막을 성장하였다. ZnO 박막의 성장을 위한 씨앗층은 plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE)를 이용하였다. 씨앗층의 표면 거칠기(root-mean-square roughness)는 2.5 nm이고, 씨앗층 위에 성장된 ZnO 박막은 다양한 크기의 입자들로 이루어져 있었으며 두께는 약
키워드