한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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- Pages.41-41
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- 2010
Cobalt 박막의 선택적 증착을 위한 MOCVD공정 연구
- 서경천 (한국표준과학연구원 진공센터) ;
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신재수
(대전대학교 신소재공학과) ;
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윤주영
(한국표준과학연구원 진공센터) ;
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김진태
(한국표준과학연구원 진공센터) ;
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신용현
(한국표준과학연구원 진공센터) ;
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이창희
(혜전대학) ;
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강상우
(한국표준과학연구원 진공센터)
- Seo, Gyeong-Cheon ;
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Sin, Jae-Su
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Yun, Ju-Yeong
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Kim, Jin-Tae
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Sin, Yong-Hyeon
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Lee, Chang-Hui
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Gang, Sang-U
- 발행 : 2010.08.18
초록
반도체 소자의 선폭이 감소함에 따른 금속배선의 저항이 증가하면서 반도체 배선물질을 copper로 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 그러나 copper를 금속배선에 사용하게 되면 대기 상에서 노출 시 쉽게 산화가 일어나며 형성된 산화물의 미세조직이 치밀하지 못하여 계속적인 산화가 진행되고, 후속 열처리 공정 시 copper가 유전체로 확산되어 소자의 정상적인 작동을 방해하게 되는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 copper의 확산 및 산화를 방지하는 물질로 cobalt가 각광받고 있다. Cobalt는 낮은 저항과 열적 안정성이 우수하여 copper와의 연동에 문제가 없으며, 소자의 작동에도 영향을 미치지 않는다. Cobalt 박막의 적용을 위해 patterning 단계를 줄일 수 있는 선택적 증착공정의 개발도 요구되고 있다. 본 연구에서는 우수한 층덮힘(step coverage)과 양질의 박막을 증착할 수 있는 MOCVD 공정을 이용하였고, cobalt 전구체로서
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