Investigation of modeling is leakage path at the shallow trench isolation device

STI 구조를 갖는 소자의 leakage path 발생 과정에 대한 모델링 연구

  • 서대만 (삼성전자공과대학교(SSIT) 반도체공학과) ;
  • 박연식 (삼성전자 S.LSI 사업부) ;
  • 상재호 (삼성전자 S.LSI 사업부) ;
  • 최수옥 (삼성전자 S.LSI 사업부)
  • Published : 2010.05.26