한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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- Pages.261-261
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- 2010
BPSG 및 PSG CVD 공정 중 발생하는 오염입자 발생특성
- 나정길 (성균관대학교 기계공학부) ;
- 문지훈 (성균관대학교 나노과학기술원) ;
- 최후미 (성균관대학교 나노과학기술원) ;
- 김태성 (성균관대학교 기계공학부) ;
- 최재붕 (성균관대학교 기계공학부) ;
- 임성규 (나노종합팹센터) ;
- 박상현 (나노종합팹센터) ;
- 이헌정 (삼성전자) ;
- 고용균 (삼성전자) ;
- 이상미 (삼성전자) ;
- 윤주영 (한국표준과학연구원) ;
- 강상우 (한국표준과학연구원)
- Na, Jeong-Gil ;
- Mun, Ji-Hun ;
- Choe, Hu-Mi ;
- Kim, Tae-Seong ;
- Choe, Jae-Bung ;
- Im, Seong-Gyu ;
- Park, Sang-Hyeon ;
- Lee, Heon-Jeong ;
- Go, Yong-Gyun ;
- Lee, Sang-Mi ;
- Yun, Ju-Yeong ;
- Gang, Sang-U
- 발행 : 2010.02.17
초록
본 연구에서는 PBMS (Particle Beam Mass Spectrometer)와 ISPM (In-Situ Particle Monitor)을 연계하여 BPSG (Borophosphosilicate Glass) 및 PSG (Phosphosilicate Glass) 박막 증착을 위한 CVD (chemical vapor deposition) 공정 중 발생하는 오염입자 발생특성에 대해 비교 평가하였다. 소스는 TEB (Triethylborate), TEPO (Triethylphosphate) 및 TEOS (Tetraethoxysilane)를 사용하였고, 운반가스 및 반응가스로 He과
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