한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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- Pages.175-175
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- 2010
Free-standing GaN 기판을 이용한 GaN 동종에피성장 및 높은 인듐 조성의 InGan/GaN 다층 양자우물구조의 성장
- 박성현 (서울대학교 재료공학부) ;
- 이건훈 (서울대학교 재료공학부) ;
- 김희진 (조지아공과대학 재료공학과) ;
- 권순용 (울산과학기술대학교 기계신소재공학부) ;
- 김남혁 (서울대학교 재료공학부) ;
- 김민화 (서울대학교 재료공학부) ;
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윤의준
(서울대학교 재료공학부)
- Park, Seong-Hyeon ;
- Lee, Geon-Hun ;
- Kim, Hui-Jin ;
- Gwon, Sun-Yong ;
- Kim, Nam-Hyeok ;
- Kim, Min-Hwa ;
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Yun, Ui-Jun
- 발행 : 2010.02.17
초록
이전 연구에서는 사파이어 기판 위에 이종에피성장 방법으로 성장한 높은 인듐 조성의 극박 InGaN/GaN 다층 양자우물 구조를 이용한 근 자외선 (near-UV) 영역의 광원에 대하여 보고하였다. 본 연구에서는 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법을 이용하여 성장된 free-standing GaN 기판 위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD) 을 이용하여 GaN 동종에피박막과 높은 인듐 조성의 InGaN/GaN 다층 양자우물을 성장하였고 그 특성을 분석하였다. Free-standing GaN 기판은 표면 조도가 0.2 nm 인 평탄한 표면을 가지며
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