Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Study of Cu filling characteristic on Silicon wafer via according to seed layer

Silicon wafer via 상의 기능성 박막층 종류에 따른 Cu filling 특성 연구

  • 김인락 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 이왕구 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 이영곤 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 정재필 (서울시립대학교 신소재공학과)
  • Published : 2009.10.14
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Abstract

TSV(through via silicon)를 이용한 Via의 Cu 충전에서 Seed 층의 역할은 전류의 흐름을 가능하게 하는 중요한 역할을 하고 있다. Via에 각각 Ti/Au, Ti/Cu를 증착한 후 Ti/Cu가 Ti/Au를 대체 할 수 있는지를 알아보기 위해 먼저 실리콘 웨이퍼에 via를 형성하고, 형성된 via에 기능성 박막층으로 절연층(SiO2) 및 시드층을 형성하였다. 전해도금을 이용하여 Cu를 충전한 결과 Ti/Au 및 Ti/Cu를 증착한 두 시편 모두 via와 seed층 접합면에 박리 등의 결함이 없었고, via 내부 또한 void나 seam 등이 관찰되지 않고 우수하게 충전된 것을 확인할 수 있었다.

Keywords