Study of silicon deep via etching mechanism using in-situ temperature monitoring of silicon exposed to $SF_6/O_2$ plasma discharge

  • 임영대 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 이승환 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 정오진 (동부하이텍 공정개발팀) ;
  • 이한춘 (동부하이텍 공정개발팀)
  • Published : 2009.10.14

Abstract

식각 공정변화 즉 상부 ICP 파워, 반응기 압력, 실리콘 기판 온도변화에 따른 실리콘 딥 비어 (deep via) 의 형상 변화 메커니즘을 연구하였다. 메커니즘을 연구하기 위해 $SF_6/O_2$ 플라즈마에 노출된 실리콘 기판의 공정변화에 따른 표면 온도변화를 실시간으로 측정하여 플라즈마 내 positive ions의 거동을 분석하였다. 실리콘 기판의 표면온도를 상승시키는 주된 요인은 positive ions임을 확인할 수 있었으며 이는 기판에 적용된 negative voltage로 인하여 나타난 이온포격이 그 원인임을 알 수 있었다. 상대적으로 radical은 실리콘 표면온도 상승에 큰 역할을 하지 못하였다. 기판 표면온도가 상승 할수록 실리콘 딥 비어 구조에 undercut, local bowing과 같은 측벽 식각이 활성화됨을 확인할 수 있었으며 이는 기판에 들어오는 positive ions가 측벽식각을 유도하는 것으로 해석할 수 있었다.

Keywords