Sidewall 산화막을 이용한 고밀도 트렌치게이트 power MOSFET 제작

• 김상기 (한국전자통신연구원) ;
• 김용구 (한국전자통신연구원) ;
• 박건식 (한국전자통신연구원) ;
• 구진근 (한국전자통신연구원) ;
• 유성욱 (한국전자통신연구원) ;
• 김보우 (한국전자통신연구원) ;
• 박성호 ((주)가인테크) ;
• 강진영 (한국전자통신연구원)

• Kim, Sang-Gi ;
• Kim, Yong-Gu ;
• Park, Geon-Sik ;
• Gu, Jin-Geun ;
• Yu, Seong-Uk ;
• Kim, Bo-U ;
• Park, Seong-Ho ;
• Gang, Jin-Yeong

• 발행 : 2009.02.11

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