Thickness dependence of electrical properties in charge trap flash (CTF) memory with $HfO_2$ trap and $Al_2O_3$ blacking layer

  • 오세만 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 유희욱 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
  • 발행 : 2009.08.19