P a-Si:H 증착조건에 따른 실리콘 기판 계면특성 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 동작특성 분석

Surface Passivation and Heterojunction Solar Cell Characteristics Depending on p a-Si:H/c-Si Deposition

  • 정대영 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 김찬석 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 송준용 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 박상현 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 조준식 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 윤경훈 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 송진수 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
  • 왕진석 (충남대학교 전자전파정보통신) ;
  • 이준신 (성균관대학교 전자통신공학부) ;
  • 이정철 (한국에너지기술연구원 태양광연구단)
  • 발행 : 2009.06.25

초록

이종접합태양전지에서 p a-Si:H/c-Si의 p a-Si:H의 증착 조건인 $H_2/SiH_4$ 비율, $B_2H_6$의 농도를 변화 시키며 실험하여 이 따라 계면 특성 변화를 연구하였다. pa-Si:H의 $H_2/SiH_4$ 비율이 상승할수록 carrier lifetime이 증가하다 다시 감소하는 경향을 나타내었다. 이는 $H_2/SiH_4$의 비율 중 효과적으로 웨이퍼표면을 효과적으로 passivation하는 지점이 있는 것으로 보인다. $B_2H_6$의 농도는 상승할수록 carrier lifetime이 줄어드는 경향을 보였다. $B_2H_6$에서 농도가 올라감에 웨이퍼 표면의 defect로 작용했을 것으로 생각된다. 이에서 몇몇의 조건으로 태양전지를 제작한 결과 $H_2/SiH_4$ 비율에 따라서는 carrier lifetime은 효율에 그 영향이 미미한 것으로 조사되었고, $B_2H_6$의 농도가 낮을수록 개방전압은 상승하는 결과를 얻어 도핑 농도가 효율에 직접적인 형향을 주는 것으로 나타났다.

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