Fabrication Characteristics of PPLN device with domain period of $6.7{\mu}m$ for SHG at 532 nm

이차조화파 발생을 통해 녹색광 생성을 위한 $6.7{\mu}m$ 주기의 PPLN 광소자 제작특성분석

  • 최주원 (광주과학기술원 광과학기술학제학부) ;
  • 유난이 (광주과학기술원 고등광기술연구소) ;
  • 노정훈 (부산대학교 의과대학 의공학과) ;
  • 고도경 (광주과학기술원 광과학기술학제학부)
  • Published : 2009.10.20