Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.04b
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- Pages.99-100
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- 2009
Simulation Characteristics of 1200V SiC DMOSFET Devices
1200V급 SiC DMOSFET 제작을 위한 특성 Simulation
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Kim, Sang-Cheol
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Joo, Sung-Jae
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Kang, In-Ho
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Kim, Nam-Kyun
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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김상철
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
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주성재
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
-
강인호
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
- 방욱 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
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김남균
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
- Published : 2009.04.03
Abstract
탄화규소를 이용한 1200V급 MOSFET 소자 제작을 위하여 특성 simulation을 수행하였다. 1200V 내압을 얻기 위해서 불순물 농도가 5E15/cm3이고 에피층의 두께가 12um인 상용 탄화규소 웨이퍼를 기준으로 하였으며 채널 저항을 줄이기 위해 채널길이를