Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Thermal stress and IR radiation of poly-silicon IR source

Poly-silicon IR source의 thermal stress 및 방사특성 평가

  • Shin, Kyu-Sik (Korean Electronics Technology Institute, Convergence Sensor & Device Research Center) ;
  • Lee, Dae-Sung (Korean Electronics Technology Institute, Convergence Sensor & Device Research Center) ;
  • Whang, Hak-In (Korean Electronics Technology Institute, Convergence Components R &D Division)
  • 신규식 (전자부품연구원, 융합센서소자연구센터) ;
  • 이대성 (전자부품연구원, 융합센서소자연구센터) ;
  • 황학인 (전자부품연구원, 융합부품연구본부)
  • Published : 2009.07.14
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Abstract

본 연구에서는 적외선 가스 센서용 IR source에 대한 연구를 진행하였다. MEMS 공정을 이용하여 poly-silicon을 IR source의 발열체로 사용하였다. Chip size는 $2{\times}2mm$ 이며 membrane의 면적은 $1{\times}1mm$로 설계, 제작 하였다. 제작된 IR source의 적외선 방출 특성을 적외선 카메라를 이용하여 관찰하였으며, 같은 온도에서의 thermal stress에 대한 관찰도 진행하였다.

Keywords