차세대 비휘발성 메모리를 위한 TBE (Tunnel Barrier Engineered) 절연막의 전기적 특성 비교

  • 박군호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정명호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정종완 (세종대 나노공학과) ;
  • 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
  • Published : 2008.08.20