Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.538-538
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- 2008
Chemical Mechanical Polishing Properties of Copper Passive Layer
산화제 첨가조건이 부동태막의 형성에 미치는 영향
- Han, Sang-Jun (Department of Electrical Engineering, Chosun University) ;
- Lee, Woo-Sun (Department of Electrical Engineering, Chosun University) ;
- Choi, Gwon-Woo (Department of Electrical Engineering, Chosun University) ;
- Park, Sung-Woo (Department of Electrical Engineering, Chosun University) ;
- Lee, Young-Kyun (Department of Electrical Engineering, Chosun University) ;
- Seo, Yong-Jin (Department of Electrical Engineering, Daebul University)
- 한상준 (조선대학교 전기공학과) ;
- 이우선 (조선대학교 전기공학과) ;
- 최권우 (조선대학교 전기공학과) ;
- 박성우 (조선대학교 전기공학과) ;
- 이영균 (조선대학교 전기공학과) ;
- 서용진 (대불대학교 전기공학과)
- Published : 2008.06.19
Abstract
금속계열의 박막을 평탄화하기위해서는 슬러리에 함유된 산화제에 의해 부동태층의 형성이 선행되어야 한다. 따라서 본 논문에서는 Copper 박막의 표면을 부동태층으로 형성시키고 CMP공정을 하기위해 산화제에 dipping을 시켰으며 삼화제의 종류는