Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.210-211
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- 2008
Simulation Characteristics of 600V SiC MOSFET Devices
600V급 SiC MOSFET 특성 Simulation
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Kim, Sang-Cheol
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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Joo, Sung-Jae
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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Kang, In-Ho
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Kim, Nam-Kyun
(Korea Electrotechnology Research Institute)
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김상철
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
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주성재
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
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강인호
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
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- 방욱 (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) ;
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김남균
(한국전기연구원 고집적전원연구그룹)
- Published : 2008.06.19
Abstract
탄화규소를 이용한 600V급 MOSFET 소자 제작을 위하여 특성 simulation을 수행하였다. 600V 내압을 얻기 위해서 불순물 농도가 1E16/cm3이고 에피층의 두께가 6um인 상용 탄회규소 웨이퍼를 기준으로 하였으며 TRIM simulation을 사용하여 P-body의 retrograde profile을 구하고 이를 이용하여 소자의 전기적 특성을 simulation 하였다. P-body의 표면 농도를 5E16/cm3 에서 1E18/cm3으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 예측하였으며 실험 결과와 비교하여 특성 변수를 추출하였다.