한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- Pages.357-357
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- 2008
에피성장된 Fe/GaAs (001) 적층구조에서의 스핀 주입 및 검출
Electrical spin injection and detection in epitaxially grown Fe/GaAs (001) hybrid structure
- 이태환 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
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구현철
(한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단)
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- 김경호 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
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김형준
(한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단)
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한석희
(한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단)
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임상호
(고려대학교 신소재공학과)
- Lee, Tae-Hwan (Center for spintronics research KIST) ;
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Koo, Hyun-Cheol
(Center for spintronics research KIST)
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- Kim, Kyung-Ho (Center for spintronics research KIST) ;
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Kim, Hyung-Jun
(Center for spintronics research KIST)
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Han, Suk-Hee
(Center for spintronics research KIST)
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Lim, Sang-Ho
(Materials science and engineering Korea university)
- 발행 : 2008.11.06
초록
에피성장된 Fe/GaAs 적층구조에서의 스핀 주입 실험을 하였다. Fe와 GaAs 사이에 Schottky tunnel barrier를 형성시키기 위하여 높게 도핑된 GaAs 층을 channel 층 위에 성장하였다. 스핀전달에 의한 chemical potential 차이만을 검출하기 위해서 전압 측정 단자 사이에 전류 흐름이 포함되지 않는 non-local 측정방법을 사용하였다. 그 결과 두 강자성 전극이 반평행한 구간에서 dip이 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
Spin injection experiment is conducted in epitaxially grown Fe/GaAs hybrid structure. For the formation of Schottky tunnel barrier between Fe and GaAs layers, highly n-doped GaAs layers are grown after n-doped channel layer. A non-local measurement, a voltage measurement probes do not contain a charge current path, is used for detecting only the chemical potential differences by the spin transport. As a result, the dips that are nicely matched with antiparallel region are obtained.
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