한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

에어로졸 데포지션법에 의한 저유전율, 저손실 유전체 후막의 상온 증착 공정에 대한 연구

Study for Fabrication of Dielectric Thick Films with Low Dielectric Constant and Low Loss Tangent Grown by Aerosol Deposition Method at Room Temperature

  • Park, J.C. (Division of Fusion & Convergence Technology, Korea Institute of Ceramic Eng. Tech.) ;
  • Yoon, Y.J. (Division of Fusion & Convergence Technology, Korea Institute of Ceramic Eng. Tech.) ;
  • Kim, H.T. (Division of Fusion & Convergence Technology, Korea Institute of Ceramic Eng. Tech.) ;
  • Koo, E.H. (Division of Fusion & Convergence Technology, Korea Institute of Ceramic Eng. Tech.) ;
  • Nam, S.M. (Dept. of Electronic Materials Eng. Kwangwoon University) ;
  • Kim, J.H. (Division of Fusion & Convergence Technology, Korea Institute of Ceramic Eng. Tech.) ;
  • Shim, K.B. (Dept. of Ceramic Eng. Hanyang University)
  • 발행 : 2008.11.06
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

에어로졸 증착법은 상온에서 다양한 기판 상에 고밀도의 세라믹 후막을 코팅할 수 있는 최신 기술로써 다양한 방면으로의 응용이 개대되고 있다. 본 실험에서는 ADM을 이용하여 고주파수 영역에서 사용가능한 기판소재 제조에 관한 연구를 진행하였다. ADM을 통해 형성된 $Al_2O_3$ 막의 유전율은 9-10으로 bulk 시료와 비슷한 특성을 보였으나 후막의 손실률의 경우는 bulk 시료에 비해 상당히 컸으며 주파수 증가에 따라 그 값이 크게 감소하는 경향을 보였다. 본 실험에서는 ADM으로 형성된 $Al_2O_3$의 높은 손실률의 원인에 대해 고찰하고 ADM 을 통해 기판소재로 사용가능한 저손실의 $Al_2O_3$막의 제조를 위한 방법을 제시하고자 하였다.

키워드