한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- Pages.138-138
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- 2008
Ti capping layer를 이용한 열적으로 안정한 NiGe 형성에 관한 연구
The formation of thermally stable Nickle Germanide with Ti capping layer
- Mun, N.J. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center) ;
- Choi, C.J. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center) ;
- Shim, K.H. (Chonbuk National University)
- 발행 : 2008.11.06
초록
Ti capping layer를 이용하여 NiGe의 열적 안정성을 향상시키는 연구를 수행하였다. N-type Ge(100) 기판에 30nm 두께의 Ni과 30nm 두께의 Ti capping layer를 E-beam evaporator를 이용하여 증착하고