한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

ESD(electrostatic discharge)에 의한 SiGe P-MOSFET의 저주파 노이즈 특성 변화

Low frequency noise characteristics of SiGe P-MOSFET in EDS

  • 정미라 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
  • 김택성 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
  • 최상식 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
  • 심규환 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소)
  • Jeong, M.R. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
  • Kim, T.S. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
  • Choi, S.S. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
  • Shim, K.H. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University)
  • 발행 : 2008.11.06
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초록

본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.

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