한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- Pages.95-95
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- 2008
ESD(electrostatic discharge)에 의한 SiGe P-MOSFET의 저주파 노이즈 특성 변화
Low frequency noise characteristics of SiGe P-MOSFET in EDS
- 정미라 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
- 김택성 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
- 최상식 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소) ;
- 심규환 (전북대학교 반도체.화학공학부 반도체 물성연구소)
- Jeong, M.R. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
- Kim, T.S. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
- Choi, S.S. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University) ;
- Shim, K.H. (School of Semiconductor and Chemical Engineering and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University)
- 발행 : 2008.11.06
초록
본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이,