한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
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- Pages.604-607
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- 2008
p채널 SONOS 전하트랩 플래시메모리의 제작 및 특성
The Fabrication and Characteristics of p-channel SONOS Charge-Trap Flash Memory
- Kim, Byung-Cheul (Dept. of Electronic Engineering, Jinju National University) ;
- Kim, Joo-Yeon (School of Electrical Engineering, Ulsan College)
- 발행 : 2008.10.31
초록
본 연구에서는 NAND 플래시메모리를 위한 기본 셀로서 p채널 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 트랜지스터를 제작하고 이것의 메모리특성을 조사하였다. SONOS 트랜지스터의 제작은
In this study, p-channel silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistors are fabricated and characterized as an unit cell for NAND flash memory. The SONOS transistors are fabricated by