Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

The Fabrication and Characteristics of p-channel SONOS Charge-Trap Flash Memory

p채널 SONOS 전하트랩 플래시메모리의 제작 및 특성

  • Kim, Byung-Cheul (Dept. of Electronic Engineering, Jinju National University) ;
  • Kim, Joo-Yeon (School of Electrical Engineering, Ulsan College)
  • 김병철 (진주산업대학교 전자공학과) ;
  • 김주연 (울산과학대학 전기전자학부 반도체응용)
  • Published : 2008.10.31
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Abstract

In this study, p-channel silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistors are fabricated and characterized as an unit cell for NAND flash memory. The SONOS transistors are fabricated by $0.13{\mu}m$ low power standard logic process technology. The thicknesses of gate insulators are $20{\AA}$ for the tunnel oxide, $14{\AA}$ for the nitride layer, and $49{\AA}$ for the blocking oxide. The fabricated SONGS transistors show low programming voltage, fast erase speed, and relatively good retention and endurance.

본 연구에서는 NAND 플래시메모리를 위한 기본 셀로서 p채널 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 트랜지스터를 제작하고 이것의 메모리특성을 조사하였다. SONOS 트랜지스터의 제작은 $0.13{\mu}m$ low power용 standard logic 공정기술을 사용하였다. 게이트 절연막의 두께는 터널 산화막 $20{\AA}$, 질화막 $14{\AA}$, 그리고 블로킹산화막의 두께는 $49{\AA}$이다. 제작된 SONOS 트랜지스터는 낮은 쓰기/지우기 전압, 빠른 지우기 속도, 그리고 비교적 우수한 기억유지특성과 endurance 특성을 나타내었다.

Keywords