Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

A Common Gate Low Noise Amplifier with High Linearity over UHF RFID Bands

모바일 UHF RFID 시스템용 고 선형 공통 게이트 저 잡음 증폭기 설계

  • Published : 2008.07.16
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Abstract

UHF 모바일 RFID 밴드에서 고선형성을 가지는 CMOS 공통 게이트 저 잡음 증폭기를 제안하였다. 제안된 공통 게이트 구성은 고선형성과 광대역 특성을 가진다. 저 잡음 증폭기는 0.35${\mu}m$ (one poly, four metals) CMOS 공정을 사용하여 제작되었고, 제작된 공통 게이트 저 잡음 증폭기의 특성은 잡음 지수 3.2dB, P1dB 1.4dBm, 전압 이득 13.4dB를 가진다.

Keywords