Microstructural Characterization of TiCrAlSiN Thin Films Deposited with Various Bias Voltages

Bias voltgae에 따른 TiCrAlSiN 코팅막의 미세구조 분석

  • 이재욱 (한국과학기술원, 신소재공학과) ;
  • 이정용 (한국과학기술원, 신소재공학과) ;
  • ;
  • 김선규 (울산대학교, 첨단소재공학부)
  • Published : 2007.04.05

Abstract

Bias voltage를 달리하여 cathodic arc plasma 방법으로 Si 기판 위에 성장시킨 TiCrAlSiN 코팅막의 미세구조를 투과전자현미경으로 관찰하였다. -200 V에서 0 V로 bias voltage가 변화함에 따라 'nano-multilayered' 구조가 무너지면서 '주상형(columnar)'구조로 코팅막의 미세구조가 변함을 알 수 있었고, EDS line scan을 통해 multilayer의 화학적 조성 변화를 확인하였다.

Keywords