Study of neutral beam characteristics using SIMS depth profile and improvement of neutral beam flux

SIMS depth profile을 이용한 중성빔 특성 분석 및 flux 향상방안

  • 김성우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박병재 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 민경석 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 강세구 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과, 테라급 나노소자 개발 사업단)
  • Published : 2007.04.05

Abstract

low angle forward reflected neutral beam etching system으로 식각한 후 SIMS depth profile을 이용하여 에너지 침투 깊이에 따른 중성빔 에너지를 분석하여 중성화 과정에서 에너지와 flux의 손실이 있었다. 기존의 two-grid 대신에 three-grid를 사용하여 에너지의 변화없이 이온 flux 및 중성빔 flux가 향상됨을 알 수 있었다.

Keywords