SPIN-FET응용을 위하여 Sb 및 P 계열 클러스터 MBE를 사용하여 GaAs 및 InP에 제작된 InAs 2DEG HEMT와 자성센서 응용을 위하여 GaAs상에 성장된 InSb

• 송진동 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원) ;
• 김형준 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원) ;
• 임주영 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원) ;
• 신상훈 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원) ;
• 김경호 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원) ;
• 장준연 (스핀트로닉스 연구센터, 한국과학기술연구원)

• Song, Jin-Dong ;
• Kim, Hyeong-Jun ;
• Im, Ju-Yeong ;
• Sin, Sang-Hun ;
• Kim, Gyeong-Ho ;
• Jang, Jun-Yeon

• 발행 : 2007.12.06

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