한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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- Pages.93-94
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- 2007
LDD 길이 변화에 따른 poly-Si TFT의 특징
The characteristics of poly-Si TFTs with various LDD
- Son, Hyuk-Joo (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Kim, Jae-Hong (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Lee, Jeoung-In (Sungkyunkwan Univ.) ;
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Yi, Jun-Sin
(Sungkyunkwan Univ.)
- 발행 : 2007.06.21
초록
다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로