Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.536-539
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- 2007
A Study on Produced Region of Bi-2223 Superconducting Thin Films versus substrate temperature and oxide gas pressures for formation of single-phase Film
단상막 형성을 위해 기판온도와 산화 가스압에 따른 Bi-2223 초전도 박막의 생성 영역에 관한 연구
- Yang, Seung-Ho (Department of Hospital Biomedical Engineering, Dongshin University) ;
- Park, Yong-Pil (Department of Hospital Biomedical Engineering, Dongshin University)
- Published : 2007.06.01
Abstract
BSCCO am films fabricated by using the evaporation method at various substrate temperatures, Tsub and ozone gas pressures
BSCCO 박막은 다양한 기판온도와 산화 가스압에 변화에서 증발법에 의해 제작되었다. 박막조성을 Bi2212 또는 Bi2223으로 설정했음에도 불구하고, 어느 경우나 Bi2201, Bi2212 및 Bi2223상이 생성되었다. 이들 안정상의 생성 영역은 기판 온도-산화 가스압의 Arrhenius 플롯에서 우측 하단 방향으로 경사진 직선으로 표시되며 매우 좁은 영역에 분포되어 있다. 생성막의 XRD 피크는 기판 온도에 따라 연속적으로 변화했다. 이는 Bi2201, Bi2212, Bi2223의 각상이 결정 구조 내에 혼합되어 있는 혼합 결정계의 존재를 나타내고 있으며, 각 상의 단상막은 매우 좁은 온도, 가스압 범위에서만 생성되었다.