Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Inorganic Flexible Thin Film Transistor with HgTe Nanocrystals

HgTe 나노입자를 이용한 무기물 플렉시블 박막 트랜지스터

  • Jang, Jae-Won (Department of Electrical Engineering and Institute for Nano Science, Korea University) ;
  • Cho, Kyoung-Ah (Department of Electrical Engineering and Institute for Nano Science, Korea University) ;
  • Kim, Sang-Sig (Department of Electrical Engineering and Institute for Nano Science, Korea University)
  • 장재원 (전기전자전파공학부, 나노과학연구소, 고려대학교) ;
  • 조경아 (전기전자전파공학부, 나노과학연구소, 고려대학교) ;
  • 김상식 (전기전자전파공학부, 나노과학연구소, 고려대학교)
  • Published : 2007.07.18
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Abstract

Poly-ether-sulphone (PES) 기판위에 열처리 공정을 거친 HgTe 나노입자를 이용하여 플렉시블 투명 박막 트랜지스터를 제작하였다. 활성층으로 사용된 HgTe 나노입자층은 UV/ozone 처리로 친수성화 된 PES 기판위에 스핀코팅으로 형성되었다. 제작된 박막 트랜지스터는 전형적인 p형 트랜지스터 특성을 보여주었으며, PES 기판에 스트레인을 가하지 않은 상태에서는 164의 전류점멸비와 1.6 $cm^{2}/Vs$ 의 전하 이동도가 계산되었고, PES 기판에 2.0%의 스트레인을 인가하였을 때에는 266의 전류점멸비와 1.0 $cm^2/Vs$ 의 전하 이동도가 계산되었다.

Keywords