대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

$Ar/Cl_2$ plasma에서 $CH_4$ 첨가에 따른 BLT 박막의 식각특성 및 선택비 향상

Improving the etch properties and selectivity of BLT thin film adding $CH_4$ gas in $Ar/Cl_2$ plasma

  • 김종규 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김경태 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Kim, Jong-Gyu (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Gwan-Ha (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Kyoung-Tae (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Woo, Jong-Chang (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University)
  • 발행 : 2007.07.18
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초록

$Ar/Cl_2$, $Ar/CH_4$ 및 $Ar/Cl_{2}/CH_{4}$ 유도결합 플라즈마의 가스 혼합비에 따른 BLT 박막의 식각 메커니즘과 선택비, 식각 후 박막 표면의 조성변화를 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 $Ar/Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 이 때, 1sccm의 $CH_4$ 첨가를 통하여 선택비와 식각률을 개선할 수 있었다. 박막 표면의 xPS 분석을 통해 BLT 박막 표면의 조성변화는 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 H 원자와의 반응에 의한 그것보다 크다는 것을 알 수 있었다.

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