Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

A study for the characteristics of non-volatile ZnO nanowire memory using $Al_{2}O_{3}$ charge trapped layers

$Al_{2}O_{3}$ 전하포획층으로 이용한 ZnO 나노선 비휘발성 메모리의 특성에 관한 연구

  • 김기현 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 강정민 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 윤창준 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 염동혁 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 정동영 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 박병준 (고려대학교 전기전자전파공학부) ;
  • 김상식 (고려대학교 전기전자전파공학부)
  • Published : 2007.07.18
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Abstract

$Al_{2}O_{3}$ 절연막을 전하포획층으로 이용하여 Top 게이트 ZnO 나노선 전계효과트랜지스터를 제작하였고, 메모리 효과를 관찰하였다. $Al_{2}O_{3}$ 층을 게이트 절연막과 전하포획층으로 사용하였다. 대표적인 Top 게이트 ZnO 나노선 전계효과트랜지스터에 대하여 게이트 전압을 Double sweep 하였을 때의 드레인 전류-게이트 전압 특성이 반시계 방향의 히스테리시스와 문턱전압변화를 나타냈다. 펄스 형태의 게이트 전압을 1초 동안 인가한 후에, 드레인 전류-게이트 전압 특성의 문턱전압 변화가 0.3 V에서 0.8 V로 증가하였다. 이러한 특성은 게이트 전극에서 음전하 캐리어가 음의 게이트 전압에 대하여 $Al_{2}O_{3}$ 층에 충전되고, 양의 게이트 전압에 대하여 방전되는 것을 나타낸다.

Keywords