Enhanced Performance of 980 nm InGaAs/GaAs Single Quantum Well Lasers by Increasing Al-content in AlGaAs Cladding Layers

  • 김광웅 (한국과학기술연구원 나노소자연구센터) ;
  • 송진동 (한국과학기술연구원 나노소자연구센터) ;
  • 최원준 (한국과학기술연구원 나노소자연구센터) ;
  • 박정호 (고려대학교 전자컴퓨터공학과)
  • 발행 : 2006.02.01