Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology (한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집)

The Korean Society Of Semiconductor & Display Technology (한국반도체디스플레이기술학회)
권호 표지

니켈실리사이드에 미치는 $SiO_2$ 보호층의 스트레스 평가

  • 임광은 (한국기술교육대학교 전기전자공학과) ;
  • 서화일 (한국기술교육대학교 전기전자공학과) ;
  • 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 이원재 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
  • Published : 2006.10.12
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Abstract

[ $500^{\circ}C$ ]에서 30초 동안 급속 열처리 하여 니켈실리사이드를 형성하고 니켈실리사이드의 후속 공정시의 열 안정성을 개선 시키기 위해 $SiO_2$ 박막을 FECVD로 증착하였다. 실리사이드의 열 안정성은 면저항 측정을 통하여 평가하였다. 후속 열처리 시 $SiO_2$ 보호층을 증착한 경우 열 안정성이 개선 되었다. 이 이유를 알아보기 위해 열처리 전후의 스트레스를 측정하였다. 그 결과 후속열처리 시 $SiO_2$ 보호층이 없을 때는 열처리 전과 후의 스트레스 큰 차이가 없었으나 $SiO_2$ 보호층이 있을 매는 스트레스가 크게 감소하였다. 이 스트레스의 감소가 니켈실리사이드의 응집현상을 억제하여 니켈실리사이드의 열 안정을 개선시키는 이유라고 판단된다.

Keywords