Optimization of Reactive Ion Etching of Benzocyclobutene

Reactive Ion Etching을 사용한 Benzocyclobutene Etching의 최적화

  • Park, Bo-Hyeon (Department of Electronics Engineering and Semiconductor Technology Center, Myoungji University) ;
  • Soh, Dea-Wha (Department of Electronics Engineering and Semiconductor Technology Center, Myoungji University) ;
  • Hong, Sang-Jeen (Department of Electronics Engineering and Semiconductor Technology Center, Myoungji University)
  • Published : 2006.05.19

Abstract

차세대 반도체 공정을 위한 많은 노력 중 미세가공의 중요성이 날로 증가함에 따라 reactive ion etching (RIE)에 대한 연구 또한 그 중요성이 커지고 있으며, 현재 제조공정 라인에서는 공정상의 오류를 줄이는 노력에 주목하고 있다. 본 논문에서는 RIE 과정에서 etch rate과 uniformity에 영향을 줄 수 있는 요인 4 가지 즉, $CHF_3$, $O_2$ chamber pressure, RF power의 변화에 대해 실험 계획법 (DOE)을 통해 실험을 계획하고, 실험한 후 neural networks. 를 통해 학습함으로서 RIE 공정상의 최적화률 모색하였다.

Keywords