한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

ZnO/GaN 이종접합구조의 capacitance-voltage 특성에 관한 연구

Capacitance-voltage characteristics of ZnO/GaN heterostructures

  • 오동철 (호서대학교 국방과학기술학과) ;
  • 한창석 (호서대학교 국방과학기술학과) ;
  • 구경완 (호서대학교 국방과학기술학과) ;
  • 정돈원 (영동대학교 컴퓨터공학과)
  • Oh, Dong-Cheol (Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
  • Han, Chang-Suk (Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
  • Koo, Kyung-Wan (Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
  • Jung, Soon-Won (Department of Computer Engineering, Youngdong University)
  • 발행 : 2006.06.22
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초록

Capacitance-voltage(C-V) 측정평가를 통하여 ZnO/GaN 이종접합구조의 전기적인 특성을 조사한다. 실온에서 10kHz의 주파수에서 얻은 ZnO/GaN의 이종접합구조에 대한 C-V 측정결과는 이종접합계면에서 고밀도의 전자가 축적되어 있음을 나타낸다. 이것은 ZnO/GaN 이종접합계면의 다른 재료에서 볼 수 없는 큰 전도대불연속에 기인한 것인데, 각각의 층의 전도도을 제어함으로 이종접합계면에 축적되는 전자밀도를 ${\sim}10^{19}cm^{-3}$까지 증가시킬 수 있다. 따라서 ZnO/GaN 이종접합구조는 이종접합(合)트래지스터로서 유망한 재료로 판단된다.

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