한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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- Pages.93-94
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- 2006
APCVD법으로 증착된 Al/$TiO_2$ /Si MIS 특성
Characterization of Al/$TiO_2$ /Si MIS by APCVD
- Lee, Kwang-Soo (Sungkyunkwan Univ.) ;
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Jang, Kyung-Soo
(Sungkyunkwan Univ.) ;
- Kim, Kyung-Hae (Sungkyunkwan Univ.) ;
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Jung, Sung-Wook
(Sungkyunkwan Univ.) ;
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Yi, Jun-Sin
(Sungkyunkwan Univ.)
- 발행 : 2010.04.01
초록
나노급 CMOS 기술에서 high-k 물질을 이용하여 게이트 유전막을 형성하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 high-k 물질인
키워드