대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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- Pages.2061-2062
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- 2006
Gate 구동 회로를 집적한 TFT-LCD에서 a-Si:H TFT의 온도에 따른 Instability 영향
a-Si:H in TFT-LCD that integrated Gate driver circuit : Instability effect by temperature
- Lee, Bum-Suk (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
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Yi, Jun-Sin
(School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
- 발행 : 2006.07.12
초록
a-Si(amorphous silicon) TFT(thin film transistor)는 TFT-LCD(liquid crystal display)의 화소 스위칭(switching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 ASG(amorphous silicon gate) 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압(Vth)의 이동이다. 특히 고온에서는 문턱 전압의(Vth) 이동이 가속화 되고, Ioff current가 증가 하게 되고, 저온(
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