Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effects of Impurity Concentration in Channel of LDMOSFET on the Electrical Characteristics of CMOS Circuit

LDMOSFET에서 채널의 불순물 농도변화에 의한 CMOS회로의 전기적 특성

  • Cui, Zhi-Yuan (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Kim, Nam-Soo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Lee, Hyung-Gyoo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University)
  • 최지원 (충북대학교 전기전자 공학부) ;
  • 김남수 (충북대학교 전기전자 공학부) ;
  • 이형규 (충북대학교 전기전자 공학부)
  • Published : 2005.07.07
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Abstract

2 차원 MEDICI 시뮬레이터를 이용하여 CMOS 회로의 전기적 특성을 조사하였다. CMOS 인버터 회로는 LDMOSFET를 이용하였는데, LDMOSFET에서 전류 및 스위칭 특성에 많은 영향을 주는 곳은 채널이라고 생각되는데, 채널에서의 불순물 농도 변화에 의한 CMOS 회로의 voltage transfer특성, low input voltage($V_{IL}$), high input voltage($V_{IH}$)등을 조사하였다. LDMOSFET에서 N 채널의 농도는 $V_{IL}$에, P 채널의 농도는 $V_{IH}$에 많은 영향을 주었다.

Keywords