Depending on Polishing Conditions of GaAs/Si3N4/SiO2/Si Wafers to Compare with Bonding Forces

연마 조건에 따른 GaAs/Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/Si 웨이퍼의 접합력 비교

  • 박종국 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 박진우 (고려대학교 전자컴퓨터공학부) ;
  • 변영태 (한국과학기술연구원 광기술연구센터)
  • Published : 2005.07.14