한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)

한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

DGMOSFET의 크기에 따른 전류-전압특성변화에 관한 연구

A Study on Characteristics of Current-Voltage Relation by sizes for Double Gate MOSFET

  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 나영일 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Jung, Hak-Kee (School of electronic & information Eng., Kunsan National University) ;
  • Na, Young-Il (School of electronic & information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jae-Hyung (School of electronic & information Eng., Kunsan National University)
  • 발행 : 2005.10.28
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초록

본 논문에서는 main gate와 side gate를 가지는 DGMOSFET의 전류전압특성을 조사하였다. 채널의 길이를 1${\mu}$m에서 5${\mu}$m까지 변화시켜 채널길이에 따른 전류전압특성을 조사하였다. 또한 드레인 전류를 변화시켜 동작온도에 따른 특성변화를 비교${\cdot}$분석하였다. 게이트 전압이 2V 인가되었을 때, 77K에서의 전류전압특성이 300K에서 동작한 소자특성보다 우수하다는 것을 알 수 있었다.

In this paper, we have investigated characteristics of current-voltage for double gate MOSFET with main gate and side gate. Investigated current-voltage characteristics of channel length changed len호 of channel from 1${\mu}$m to 3${\mu}$m. Also, compare and analyzed characteristics of changed of operation temperature changing current that is dignity. gate voltage could know 2V that is superior than device characteristics of current voltage characteristic in 77K acts in room temperature when approved.

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